MOSFET SuperMESH protégé par Zener STMicroelectronics canal Type N, TO-220 10 A Enrichissement 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 485-7412Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STP10NK60Z
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET SuperMESH protégé par Zener

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220

Séries

SuperMESH

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.75Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

156W

Tension maximale de source de la grille Vgs

±30 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5nC

Tension directe Vf

1.6V

Température maximale d'utilisation

150°C

Largeur

4.6 mm

Hauteur

9.15mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

JESD97, ECOPACK

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 15,18

€ 3,036 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 5€ 3,036€ 15,18
10 - 95€ 2,557€ 12,79
100 - 495€ 1,998€ 9,99
500 - 995€ 1,684€ 8,42
1000+€ 1,412€ 7,06

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Type N

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

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Séries

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.75Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

156W

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Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5nC

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1.6V

Température maximale d'utilisation

150°C

Largeur

4.6 mm

Hauteur

9.15mm

Longueur

10.4mm

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