MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 10 A Enrichissement 600 V, 3 broches STP10NM60N
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
550mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
19nC
Tension directe Vf
1.3V
Température de fonctionnement maximale
150°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 13,36
€ 2,672 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
70W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
19nC
Tension directe Vf
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Température de fonctionnement maximale
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Largeur
4.6 mm
Hauteur
15.75mm
Longueur
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