Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-220
Série
STripFET H7
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
7mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
72nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 70,77
€ 2,578 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
25
€ 70,77
€ 2,578 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,578 | € 12,89 |
| 125+ | € 2,149 | € 10,74 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-220
Série
STripFET H7
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
7mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
72nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit