MOSFET de puissance N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 FDmesh

Brand

Type du produit

Power MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220

Série

FDmesh

Type de support

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.45Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Dissipation de puissance maximum Pd

90W

Température minimum de fonctionnemen

-60°C

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

125°C

Longueur

10.4mm

Hauteur

15.75mm

Normes/homologations

UPC

Standard automobile

No