MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 FDmesh

Brand

Type de canal

N

Type de produit

Power MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220

Série

FDmesh

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.45Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

90W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-25, +25V

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

4.6mm

Standard automobile

No