MOSFET N STMicroelectronics 120 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET II
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type du produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
120A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Série
STripFET II
Type de Boitier
TO-220
Type de support
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
10.5mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
312W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
172nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Taille
9.15mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,32
€ 3,159 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
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Through Hole
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température de fonctionnement minimum
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
172nC
Température d'utilisation maximum
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No
Largeur
4.6 mm
Taille
9.15mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
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