MOSFET N STMicroelectronics 120 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET II
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
120A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-220
Série
STripFET II
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
10.5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
312W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
172nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Taille
9.15mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,54
€ 3,269 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
312W
Température de fonctionnement minimum
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Tension directe Vf
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175°C
Taille
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Longueur
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No
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