MOSFET N STMicroelectronics 80 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET F7
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Série
STripFET F7
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.2V
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Température d'utilisation minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
13.6nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Hauteur
9.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,35
€ 1,271 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 6,35
€ 1,271 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Série
STripFET F7
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.2V
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Température d'utilisation minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
13.6nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Hauteur
9.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.