MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 80 A Enrichissement 60 V, 3 broches STP130N6F7
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-220
Séries
STripFET F7
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
13.6nC
Tension directe Vf
1.2V
Température de fonctionnement maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.15mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 6,30
€ 1,26 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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5mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
13.6nC
Tension directe Vf
1.2V
Température de fonctionnement maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.15mm
Longueur
10.4mm
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No
Standard automobile
No
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Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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