MOSFET canal Type N STMicroelectronics 12 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh K5, SuperMESH5 Non

N° de stock RS: 791-7807Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STP13N80K5
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-220

Séries

MDmesh K5, SuperMESH5

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

450mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

190W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

29nC

Tension directe Vf

1.1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.6 mm

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Séries

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Type de montage

Through Hole

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3

Résistance Drain Source maximum Rds

450mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

190W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

29nC

Tension directe Vf

1.1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.6 mm

Hauteur

15.75mm

Longueur

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