Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
4.2mΩ
Charge de porte typique Qg @ Vgs
127nC
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension maximale de source de la grille Vgs
20V
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
EN131 Professional
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille de tranchée améliorée qui entraîne une très faible résistance à l'état passant, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 121,04
€ 2,421 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 121,04
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 2,421 | € 121,04 |
| 250 - 450 | € 2,36 | € 118,00 |
| 500+ | € 2,295 | € 114,73 |
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Type de canal
N
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TO-220
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Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
4.2mΩ
Charge de porte typique Qg @ Vgs
127nC
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Tension maximale de source de la grille Vgs
20V
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
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Le transistor MOSFET de puissance à canal N STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille de tranchée améliorée qui entraîne une très faible résistance à l'état passant, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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