Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-220
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
4.2mΩ
Charge de porte typique Qg @ Vgs
127nC
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille de tranchée améliorée qui entraîne une très faible résistance à l'état passant, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 39,42
€ 3,47 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 39,42
€ 3,47 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
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Paquet de production (Tube)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 3,47 | € 6,94 |
| 100 - 198 | € 3,097 | € 6,19 |
| 200+ | € 2,659 | € 5,32 |
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Type de canal
Type N
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100V
Type de Boitier
TO-220
Type de support
Through Hole
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
4.2mΩ
Charge de porte typique Qg @ Vgs
127nC
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température minimum de fonctionnemen
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Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
175°C
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Le transistor MOSFET de puissance à canal N STMicroelectronics utilise la technologie STripFET F7 avec une structure de grille de tranchée améliorée qui entraîne une très faible résistance à l'état passant, tout en réduisant la capacité interne et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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