Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
290mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
45W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
39nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Taille
9.3mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,35
€ 6,35 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 6,35
€ 6,35 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 6,35 |
| 2+ | € 6,03 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
290mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
45W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
39nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Taille
9.3mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit


