Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
290mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
45W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
39nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.3mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 60,04
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 60,04
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
290mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
45W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
39nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.3mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Détails du produit


