MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 110 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
DeepGate, STripFET
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
160 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 7,15
€ 3,574 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
2
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,574 | € 7,15 |
| 10 - 18 | € 3,46 | € 6,92 |
| 20 - 48 | € 3,374 | € 6,75 |
| 50 - 98 | € 3,283 | € 6,56 |
| 100+ | € 3,197 | € 6,39 |
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Dissipation de puissance maximum
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
160 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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