Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-220
Série
DeepGate, STripFET
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.2mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
160nC
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,00
€ 4,001 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 8,00
€ 4,001 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
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Standard
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,001 | € 8,00 |
| 10 - 18 | € 3,874 | € 7,75 |
| 20 - 48 | € 3,776 | € 7,55 |
| 50 - 98 | € 3,672 | € 7,34 |
| 100+ | € 3,58 | € 7,16 |
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Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-220
Série
DeepGate, STripFET
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.2mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
160nC
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
15.75mm
Longueur
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No
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