Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-220
Série
DeepGate, STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.2mΩ
Mode de canal
Enhancement
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
160nC
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 40,56
€ 3,571 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 40,56
€ 3,571 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
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Paquet de production (Tube)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 3,571 | € 7,14 |
| 100 - 198 | € 3,185 | € 6,37 |
| 200+ | € 2,735 | € 5,47 |
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Type de canal
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Type de Boitier
TO-220
Série
DeepGate, STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
160nC
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
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No
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