Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Power MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
180A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-220
Série
STripFET H7
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
2.7mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
315W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
180nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 35,71
€ 3,454 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 35,71
€ 3,454 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 3,454 | € 6,91 |
| 100 - 198 | € 3,349 | € 6,70 |
| 200+ | € 2,899 | € 5,80 |
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STMicroelectronicsType du produit
Power MOSFET
Type de canal
Type N
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100V
Type de Boitier
TO-220
Série
STripFET H7
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
2.7mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
315W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
180nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
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No
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