Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Modules MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
25A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220FP
Série
ST
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.115Ω
Mode de canal
Épuisement
Détails du produit
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes de récupération rapide MDmeshTM DM6. Comparé à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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ST
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Épuisement
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Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes de récupération rapide MDmeshTM DM6. Comparé à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché.
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