Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
STripFET
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-18 V, +18 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.15mm
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 44,51
€ 0,89 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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N
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30 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
STripFET
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-18 V, +18 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.15mm
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