Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
40 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
A-220
Série
STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
33 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-17 V, +17 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
4.6mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 5 V
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 24,09
€ 2,409 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 24,09
€ 2,409 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
10 - 95 | € 2,409 | € 12,05 |
100 - 495 | € 1,857 | € 9,28 |
500 - 995 | € 1,577 | € 7,88 |
1000+ | € 1,322 | € 6,61 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
40 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
A-220
Série
STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
33 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-17 V, +17 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
4.6mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 5 V
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Détails du produit