MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 34 A 650 V, 3 broches

Brand

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

34 A

Tension Drain Source maximum

650 V

Série

MDmesh DM2

Type de boîtier

TO-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

93 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

250 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Longueur

10.4mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

4.6mm

Charge de Grille type @ Vgs

60 nC V @ 10

Matériau du transistor

Si

Température maximum d'utilisation

150 °C

Hauteur

15.75mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.6V

Pays d'origine

China