Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
35A
Tension Drain Source maximum Vds
710V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
78mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
210W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
82nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
4.6mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 29,35
€ 5,869 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 29,35
€ 5,869 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 5,869 | € 29,35 |
| 50 - 120 | € 5,559 | € 27,80 |
| 125+ | € 5,27 | € 26,35 |
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Type de canal
N
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TO-220
Série
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
210W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
82nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
4.6mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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