MOSFET canal N STMicroelectronics 4 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh, SuperMESH

Brand

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

MDmesh, SuperMESH

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

18.8nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30, +30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.6mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Hauteur

9.15mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

No