Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
36A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-LL
Série
STP50N60DM6
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
80mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
55nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
4.4mm
Longueur
28.9mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
10mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 165,05
€ 3,301 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 165,05
€ 3,301 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 3,301 | € 165,05 |
| 250+ | € 3,192 | € 159,62 |
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Type de canal
N
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600V
Type de Boitier
TO-LL
Série
STP50N60DM6
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
80mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
55nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
4.4mm
Longueur
28.9mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
10mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
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