Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-220
Séries
STripFET II
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
14Ω
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
54nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Taille
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2,58
€ 0,516 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 2,58
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Standard
5
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MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
60A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-220
Séries
STripFET II
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
14Ω
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
54nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Taille
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.


