Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
9A
Tension Drain Source maximum Vds
950V
Type de Boitier
TO-220
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.25Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
13nC
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
15.75mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Ces transistors MOSFET de puissance à canal N à très haute tension sont conçus à l'aide de la technologie MDmesh TM K5 basée sur une structure verticale propriétaire innovante. Le résultat est une réduction spectaculaire de la résistance à l'état passant et de la charge de grille ultra-faible pour les applications. Lien d'état du produit exigeant une densité de puissance supérieure et un haut rendement.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 64,15
€ 1,283 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 64,15
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 1,283 | € 64,15 |
| 250 - 450 | € 1,252 | € 62,58 |
| 500+ | € 1,217 | € 60,83 |
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Type de canal
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Type de Boitier
TO-220
Type de support
Through Hole
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
13nC
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
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Ces transistors MOSFET de puissance à canal N à très haute tension sont conçus à l'aide de la technologie MDmesh TM K5 basée sur une structure verticale propriétaire innovante. Le résultat est une réduction spectaculaire de la résistance à l'état passant et de la charge de grille ultra-faible pour les applications. Lien d'état du produit exigeant une densité de puissance supérieure et un haut rendement.
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