MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 5.2 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP SuperMESH

Brand

Type de canal

N

Type de produit

Power MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

5.2A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Série

SuperMESH

Type de Boitier

TO-220FP

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.8Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30, +30V

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

40nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

JEDEC JESD97

Largeur

4.6mm

Hauteur

9.3mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

No