Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220
Série
STP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
80nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
30V
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
28.9mm
Normes/homologations
UL
Largeur
10.4mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N très haute tension STMicroelectronics est conçu à l'aide de la technologie MDmesh K6 ultime basée sur une expérience STMicroelectronics de 20 ans sur la technologie de super jonction. Le résultat est la meilleure résistance par zone et charge de grille pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un haut rendement. Ce transistor MOSFET est recommandé pour les applications basées sur la topologie Flyback, telles que l'éclairage à LED, les chargeurs et les adaptateurs. Fournit une plus grande densité de puissance réduisant le coût et la taille de la carte.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 30,23
€ 6,046 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 30,23
€ 6,046 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 6,046 | € 30,23 |
| 50 - 120 | € 5,509 | € 27,54 |
| 125+ | € 4,59 | € 22,95 |
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Type de canal
N
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TO-220
Série
STP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
80nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
30V
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
28.9mm
Normes/homologations
UL
Largeur
10.4mm
Standard automobile
AEC-Q101
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Le transistor MOSFET de puissance à canal N très haute tension STMicroelectronics est conçu à l'aide de la technologie MDmesh K6 ultime basée sur une expérience STMicroelectronics de 20 ans sur la technologie de super jonction. Le résultat est la meilleure résistance par zone et charge de grille pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un haut rendement. Ce transistor MOSFET est recommandé pour les applications basées sur la topologie Flyback, telles que l'éclairage à LED, les chargeurs et les adaptateurs. Fournit une plus grande densité de puissance réduisant le coût et la taille de la carte.
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