Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh K6
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
0.6Ω
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
25.9nC
Température d'utilisation maximum
125°C
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N très haute tension de STMicroelectronics est conçu à l'aide de la technologie MDmesh K6 ultime basée sur la technologie de super jonction. Le résultat est la meilleure résistance sous tension de sa catégorie par zone et charge de grille pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un haut rendement.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,58
€ 2,31 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
€ 8,58
€ 2,31 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
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Paquet de production (Tube)
2
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 2,31 |
| 100 - 499 | € 2,10 |
| 500 - 999 | € 1,97 |
| 1000+ | € 1,95 |
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Type de canal
Type N
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Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh K6
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
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0.6Ω
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
25.9nC
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UPC
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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Le transistor MOSFET de puissance à canal N très haute tension de STMicroelectronics est conçu à l'aide de la technologie MDmesh K6 ultime basée sur la technologie de super jonction. Le résultat est la meilleure résistance sous tension de sa catégorie par zone et charge de grille pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un haut rendement.
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