MOSFET canal Type N STMicroelectronics 2.3 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 STripFET V Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2.3A
Tension Drain Source maximum Vds
20V
Type de Boitier
SOT-23
Séries
STripFET V
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
40mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.1V
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Tension maximale de source de la grille Vgs
8 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
3.04mm
Normes/homologations
No
Largeur
1.75 mm
Hauteur
1.3mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ V, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,12
€ 0,612 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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STripFET V
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Surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.1V
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Tension maximale de source de la grille Vgs
8 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6nC
Température d'utilisation maximum
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Longueur
3.04mm
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No
Largeur
1.75 mm
Hauteur
1.3mm
Standard automobile
No
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