Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2.3A
Tension Drain Source maximum Vds
20V
Type de Boitier
SOT-23
Séries
STripFET V
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
40mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Tension maximale de source de la grille Vgs
8 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
1.75 mm
Taille
1.3mm
Longueur
3.04mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ V, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,18
€ 0,618 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 6,18
€ 0,618 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2.3A
Tension Drain Source maximum Vds
20V
Type de Boitier
SOT-23
Séries
STripFET V
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
40mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Tension maximale de source de la grille Vgs
8 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
1.75 mm
Taille
1.3mm
Longueur
3.04mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ V, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.


