MOSFET P STMicroelectronics 2 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 STripFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
2A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
SOT-23
Série
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
90mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6nC
Tension directe Vf
-1.1V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
1.3mm
Longueur
3.04mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 17,12
€ 0,342 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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Standard
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,342 | € 17,12 |
| 100+ | € 0,325 | € 16,26 |
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Surface
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Hauteur
1.3mm
Longueur
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No
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