MOSFET P STMicroelectronics 2 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 STripFET

Brand

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

2A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SOT-23

Série

STripFET

Type de support

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

90mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

350mW

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6nC

Tension directe Vf

-1.1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.3mm

Longueur

3.04mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Pays d'origine

China