Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
SOIC
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
20mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.7W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
34nC
Tension directe Vf
-1.1V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
1.5mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,83
€ 0,783 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 7,83
€ 0,783 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
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Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,783 | € 7,83 |
| 100 - 490 | € 0,774 | € 7,74 |
| 500 - 990 | € 0,765 | € 7,64 |
| 1000 - 2490 | € 0,755 | € 7,55 |
| 2500+ | € 0,746 | € 7,46 |
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Brand
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MOSFET
Type de canal
Type P
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10A
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40V
Type de Boitier
SOIC
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
20mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.7W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
34nC
Tension directe Vf
-1.1V
Température d'utilisation maximum
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