Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
SOIC
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
20mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.7W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
34nC
Tension directe Vf
-1.1V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
1.5mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 39,15
€ 0,774 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 39,15
€ 0,774 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,774 | € 7,74 |
| 500 - 990 | € 0,765 | € 7,64 |
| 1000 - 2490 | € 0,755 | € 7,55 |
| 2500+ | € 0,746 | € 7,46 |
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MOSFET
Type de canal
Type P
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40V
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SOIC
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
20mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.7W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
34nC
Tension directe Vf
-1.1V
Température d'utilisation maximum
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