Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Power MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
SOIC
Série
STripFET
Type de support
En surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15nC
Température d'utilisation maximum
125°C
Configuration du transistor
Isolated
Hauteur
1.25mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
UPC
Nombre d'éléments par circuit
2
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 11,90
€ 2,379 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 11,90
€ 2,379 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,379 | € 11,90 |
| 50 - 120 | € 2,051 | € 10,25 |
| 125+ | € 1,61 | € 8,05 |
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Type de canal
Type N
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60V
Type de Boitier
SOIC
Série
STripFET
Type de support
En surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15nC
Température d'utilisation maximum
125°C
Configuration du transistor
Isolated
Hauteur
1.25mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
UPC
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2
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