MOSFET canal Type N STMicroelectronics 5 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC DeepGate, STripFET Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
SOIC
Séries
DeepGate, STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4 mm
Hauteur
1.65mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 6,90
€ 0,69 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 0,69 | € 6,90 |
| 20+ | € 0,656 | € 6,56 |
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Séries
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Surface
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8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4 mm
Hauteur
1.65mm
Longueur
5mm
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No
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Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
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