Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
SOIC
Série
DeepGate, STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
1.65mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,99
€ 0,699 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 6,99
€ 0,699 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 0,699 | € 6,99 |
| 20+ | € 0,664 | € 6,64 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
SOIC
Série
DeepGate, STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
1.65mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit