MOSFET N STMicroelectronics 5 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC DeepGate, STripFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
SOIC
Série
DeepGate, STripFET
Type de montage
Montage en surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
60°C
Hauteur
1.65mm
Longueur
75mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
No
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 33,27
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Série
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Dissipation de puissance maximum Pd
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Hauteur
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Longueur
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