MOSFET canal Type N STMicroelectronics 6 A 20 V Enrichissement, 8 broches, SOIC STripFET Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
6A
Tension Drain Source maximum Vds
20V
Type de Boitier
SOIC
Séries
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Tension maximale de source de la grille Vgs
12 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
8.5nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4 mm
Taille
1.25mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 3,24
€ 0,648 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Tension maximale de source de la grille Vgs
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Largeur
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