Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
6A
Tension Drain Source maximum Vds
20V
Type de Boitier
SOIC
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
8.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
5mm
Hauteur
1.25mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3,29
€ 0,659 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
€ 3,29
€ 0,659 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,659 | € 3,30 |
| 50 - 120 | € 0,555 | € 2,77 |
| 125 - 495 | € 0,411 | € 2,05 |
| 500 - 2495 | € 0,362 | € 1,81 |
| 2500+ | € 0,329 | € 1,65 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
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20V
Type de Boitier
SOIC
Série
STripFET
Type de support
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
8.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
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No
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