MOSFET N STMicroelectronics 11 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
11A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-247
Séries
MDmesh
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
400mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement minimum
-65°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
43.6nC
Tension directe Vf
0.86V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
5.15 mm
Taille
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 5,52
€ 5,52 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 5,52
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,52 |
| 10 - 99 | € 4,68 |
| 100 - 499 | € 3,74 |
| 500 - 999 | € 3,63 |
| 1000+ | € 3,56 |
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Nombre de broches
3
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Mode de canal
Enhancement
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Tension maximale de source de la grille Vgs
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Température de fonctionnement minimum
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
43.6nC
Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
5.15 mm
Taille
20.15mm
Longueur
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No
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