MOSFET canal N STMicroelectronics 11 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh

Brand

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Série

MDmesh

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

400mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30, +30V

Tension directe Vf

860mV

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

43.6nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

5.15mm

Longueur

15.75mm

Hauteur

20.15mm

Standard automobile

No