MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-247 18 A Enrichissement 650 V, 3 broches STW24N60M2

N° de stock RS: 783-3090Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STW24N60M2
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

18A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-247

Série

MDmesh M2

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

190mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

29nC

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5.15 mm

Hauteur

20.15mm

Longueur

15.75mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Pays d'origine

China

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics

Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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25 V

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Hauteur

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Longueur

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