MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-247 22 A Enrichissement 650 V, 3 broches STW28N60DM2
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
22A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
160mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
39nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,23
€ 4,113 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 8,23
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Standard
2
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,113 | € 8,23 |
| 10 - 18 | € 3,913 | € 7,83 |
| 20 - 48 | € 3,518 | € 7,04 |
| 50 - 98 | € 3,168 | € 6,34 |
| 100+ | € 3,002 | € 6,00 |
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Type N
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22A
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TO-247
Série
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
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160mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
39nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
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No
Standard automobile
No
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Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
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