MOSFET N STMicroelectronics 21 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
21A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
TO-247
Séries
MDmesh
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
158mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
50nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
5.15 mm
Taille
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 67,79
€ 6,78 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 67,79
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Paquet de production (Tube)
10
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 6,78 |
| 100 - 499 | € 5,62 |
| 500 - 999 | € 4,95 |
| 1000+ | € 4,28 |
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Séries
MDmesh
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
50nC
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
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Taille
20.15mm
Longueur
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