MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-247 26 A Enrichissement 650 V, 3 broches STW33N60M2

N° de stock RS: 829-1504PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STW33N60M2
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

26A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-247

Séries

MDmesh M2

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

125mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

190W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

45.5nC

Température de fonctionnement maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

5.15 mm

Hauteur

20.15mm

Longueur

15.75mm

Standard automobile

No

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics

Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 38,50

€ 3,85 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitaire
10 - 99€ 3,85
100 - 499€ 3,05
500+€ 2,73

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Type de montage

Through Hole

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3

Résistance Drain Source maximum Rds

125mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

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Tension maximale de source de la grille Vgs

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Température de fonctionnement maximum

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Hauteur

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Longueur

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