MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-247 29 A 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 761-0323Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STW34NM60N
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

29 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Type de boîtier

TO-247

Séries

MDmesh

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

105 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

210 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.75mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

84 nC @ 10 V

Largeur

5.15mm

Matériau du transistor

Si

Hauteur

20.15mm

Détails du produit

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 7,32

€ 7,32 Each (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-247 29 A 600 V, 3 broches
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Standard

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Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

1

Disponible en multiples de 1
1€ 7,32
2€ 14,64
3€ 21,96
4€ 29,28
5€ 36,59
6€ 43,91
7€ 51,23
8€ 58,55
9€ 65,87
10€ 63,03
11€ 69,33
12€ 75,63
13€ 81,94
14€ 88,24
15€ 94,54

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QuantitéPrix unitaire
1 - 9€ 7,32
10 - 99€ 6,30
100 - 499€ 5,23
500 - 999€ 4,61
1000+€ 4,01

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Type de montage

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Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

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Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

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2V

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210 W

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Single

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1

Longueur

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Largeur

5.15mm

Matériau du transistor

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