MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-247 32 A Enrichissement 650 V, 3 broches STW40N65M2

N° de stock RS: 876-5727Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STW40N65M2
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Documents techniques

Spécifications

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

32A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-247

Séries

MDmesh M2

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

99mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

250W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

56.5nC

Tension directe Vf

1.6V

Température maximale d'utilisation

150°C

Largeur

5.15 mm

Hauteur

20.15mm

Longueur

15.75mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No

Pays d'origine

China

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics

Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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QuantitéPrix unitaire
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Séries

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

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99mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

250W

Tension maximale de source de la grille Vgs

25 V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

56.5nC

Tension directe Vf

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Température maximale d'utilisation

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Largeur

5.15 mm

Hauteur

20.15mm

Longueur

15.75mm

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No

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No

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