MOSFET N STMicroelectronics 32 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh M2
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
32A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh M2
Type de support
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
99mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
56.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Tension directe Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
15.75mm
Höhe
20.15mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 19,64
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Série
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Through Hole
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3
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Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
56.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Tension directe Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
15.75mm
Höhe
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No
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No
Pays d'origine
China
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Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
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