Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
40A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Série
MDmesh DM2
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
79mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
70nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
-25, +25V
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.15mm
Hauteur
20.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 5,44
€ 5,44 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 5,44
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,44 |
| 10 - 99 | € 5,37 |
| 100+ | € 5,31 |
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MOSFET
Type de canal
N
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Série
MDmesh DM2
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
79mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
70nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
-25, +25V
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
5.15mm
Hauteur
20.15mm
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