Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
40A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
79mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
70nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
5.15mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 27,12
€ 5,35 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
€ 27,12
€ 5,35 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 5,35 |
| 100+ | € 5,30 |
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Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
40A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
79mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
70nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
85°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
5.15mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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